固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、还需要散热和足够的气流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,通风和空调 (HVAC) 设备、
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,
特别是对于高速开关应用。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。(图片:东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用,供暖、这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。每个部分包含一个线圈,航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,
设计应根据载荷类型和特性进行定制。涵盖白色家电、

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